公司名稱：珠海某通信公司
工作地點：珠海
職責描述：
1. 負責存儲器研發所需的TF工藝研發；
2. 依據研發需求，制定TF工藝的研發計劃，建立并優化工藝條件，保障整體研發進度；
3. 依據工藝整合的需求，制定相關工藝規格，對工藝中存在的課題進行攻關，拓展工藝窗口，提升產品良率及性能；
4. 引入和評估驗證新材料、新機臺、新功能，并降低工藝成本；
5. 分析數據并總結和匯報研發進展，撰寫相關論文和申請專利。
任職要求：
1. 碩士研究生以上學歷，理工科背景；
2. 3年以上邏輯或存儲半導體行業薄膜領域工作經驗，有12寸半導體廠研發工作經歷優先；
3. 熟悉各種CVD/ALD/PVD/EPI/退火等薄膜相關機臺，有設備開發經驗更加；
4. 熟悉oxide/nitride/carbon/SiON/poly/silicide/High-K/Metal/anneal等各種工藝和材料的優化，有High K、激光、EPI、PVD等材料堆疊及研發經驗優先；
5. 較強的溝通表達能力、組織協調能力和團隊合作精神；
6. 有清晰的邏輯思維，具有創新精神。
